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顯微熒光成像系統

簡要描述:S-MPL系列顯微熒光成像系統
光致發光(photoluminescence)即PL,是用紫外、 可見或紅外輻射激發發光材料而產生的發光,在半 導體材料的發光特性測量應用中通常是用激光(波 長如325nm、532nm、785nm等)激發材料(如 GaN、ZnO、GaAs等)產生熒光,通過對其熒光光譜(即PL譜)的測量,分析該材料的光學特性,如禁帶寬 度等。

  • 產品型號:S-MPL系列
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2024-12-18
  • 訪  問  量:1336

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S-MPL系列顯微熒光成像系統簡介

  • 光致發光(photoluminescence)即PL,是用紫外、 可見或紅外輻射激發發光材料而產生的發光,在半 導體材料的發光特性測量應用中通常是用激光(波 長如325nm、532nm、785nm等)激發材料(如 GaN、ZnO、GaAs等)產生熒光,通過對其熒光光譜(即PL譜)的測量,分析該材料的光學特性,如禁帶寬 度等。光致發光可以提供有關材料的結構、成分及環境 原子排列的信息,是一種非破壞性的、高靈敏度的分析 方法,因而在物理學、材料科學、化學及分子生物學等 相關領域被廣泛應用。
  • 傳統的熒光光譜儀一般采用透鏡收光的方式,針對發光 非常微弱的納米材料,即便用激光器激發,也很難獲得 較好的信號。結合多年的實際測樣經驗,我司推出了顯 微PL系統,采用顯微物鏡收光,較傳統的熒光光譜儀其 收光效率提升了至少3個數量級,因此特別適用于傳統 熒光系統難以檢測到的微弱信號,另外其輔助的白光成 像功能,還可以實現微區(微米級)定位測量。

應用領域:

  • 半導體材料
  • 二維材料
  • 納米材料
  • 薄膜材料
  • 光波導器件
  • LD, LED外延片

產品特點:

  • 光譜范圍:200-1700nm
  • 光斑大小:≤10μm(325nm激光、100X物鏡)
  • 光譜分辨率:優于0.1nm
  • 白光成像分辨率:亞微米級
  • 激光器:266nm、325nm、360nm、405nm、488n- m、510nm、532nm、633nm、785nm等可選
  • 樣品臺:手動/電動可選
  • 采譜模式:單點掃描/線掃描可選

 S-MPL系列顯微熒光成像系統系統功能:

  • 微區PL測量
  • 可同時配置多路激光器
  • 自由光路耦合,保障大光效率
  • 顯微光路設計,保障大激發、收集效率
  • 高精度位移臺,實現微米級定位測量

擴展功能:

  • 微區電致發光(EL)測量
  • 熒光壽命測量:ps-ms量級
  • 自動Mapping功能:50mm×50mm行程,步進精度 1μm
  • 光電流譜(成像)測量
  • 光電材料響應度測試
  • 變溫附件:77K-600℃/4K、10K超低溫

S-MPL系列顯微熒光系統 

 

 

 

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